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使用者可以利用电子桌面中緊密串連的工作流程，其中包括進階電磁場求解器，並將它們動態連結到電源電路模擬器，以預測電氣裝置的EMI / EMC效能。這些經整合的工作流程、可避免重複的設計迭代和昂貴的週期性emc認證測試。多個EM求解器可以解決各種電磁問題,以及电子桌面的電路模擬器,可協助工程師評估其電氣裝置的整體效能並建立無干擾設計。這些不同問題包括輻射發射和傳導發射,敏感性,串擾,射頻靈敏度降低,射频共存,同址,靜電放電,電快速瞬變(EFT)叢發,雷擊效應,高強度場(HIRF)輻射危害(RADHAZ)電磁環境效應(EEE)電磁脈衝(EMP)到屏蔽效能和其他EMC應用。

发射擁有強大的分析引擎，可計算所有重要的射頻互動作用，包括非線性系統元件效應。我們都知道，在測試環境中複雜情境下診斷rfi難以執行且花費高昂。但藉助发出的動態連結結果視圖,可以透過圖形訊號回溯和診斷摘要快速識別任何干擾的根本原因,這些摘要顯示干擾訊號到達每個接收器的確切來源和路徑。一旦發現引發干擾的原因，发射便會快速評估各種rfi緩解措施，得出最佳解決方案。新的基于/排放資料交換器允許在发出直接從基于已安裝天線的物理3 d模型建立用於RFI分析的模型。這為射頻環境的完整RFI解決方案提供緊密串連的端到端工作流程,範圍包括大型平台同址干擾到電子裝置的接收器靈敏度降低。

陣列設計可以在任何光束掃描條件下檢查所有元件的輸入阻抗。相位陣列天線可以根據在任何掃描條件下的元件匹配（無源或驅動）遠場和近場模式行為，針對元件、子陣列或完整陣列層級的效能進行最佳化。無限陣列建模涉及置於單位晶格內的一個或多個天線元件。單位晶格包含磁鏡場環繞墻的週期邊界條件，以建立無限多的元件。可以計算元件掃描阻抗和嵌式元件輻射場型，包括所有互耦合效應。此方法對於預測在某些陣列光束控制條件下，可能出現的陣列盲點掃描角度特別有用。有限陣列模擬技術利用單位晶格的域分解，來獲得大型有限尺寸陣列的快速解決方案。利用此項技術，可以執行完整的陣列分析，預測所有互耦合、掃描阻抗、元件場型、陣列場型和陣列邊緣效應。

帶有si電路的HFSS可以處理從裸晶到裸晶跨Ic，封裝，連接器和PCB的現代互連設計的複雜性。透過利用與強大的電路和系統模擬動態連結的基于高級電磁場模擬功能,工程師可以在構建實體原型之前就了解高速電子產品的效能。

具備模擬加密HFSS 3d元件的能力，意味著您不再需要在準確性上妥協。設計師可以不用在設計中使用電路級元件(例如,年代參數模型)對比真正的3 d模型,進而影響整體模擬準確性。

這也促使供應商的潛在客戶能夠在完整的系統設計中使用加密3d元件。透過嚴格考慮整合耦合效應，同時保護供應商的設計ip，終端使用者可以對結果的有效性更有信心。此外,它還透過基于和適應性網格劃分為加密的3 d元件提供完整無損的模擬精準度,達到黃金標準的準確性。

HFSS倍增求解器是根據有限元素格網內質點法(图片)。HFSS提供倍增分析作為頻域場解決方案的後處理。只需幾個步驟即可設定帶電粒子模擬的激發和邊界條件，您可以檢查設計是否符合防止倍增擊穿的標準。